A2G35S200-01SR3

Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

Partea producatorului	A2G35S200-01SR3
Producător	NXP Semiconductors
Descriere	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Categorie	produse semiconductoare discrete
Familie	tranzistoare - fete, mosfet - rf
Ciclu de viață:	New from this manufacturer.
Livrare:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plată	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fișa cu date	A2G35S200-01SR3 PDF

Disponibilitate

În stoc	182
Preț unitar	$ 264.51000

A2G35S200-01SR3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

A2G35S200-01SR3 Specificații

Tip	Descriere
serie:	-
pachet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
starea piesei:	Active
tip tranzistor:	GaN HEMT
frecvență:	3.4GHz ~ 3.6GHz
câştig:	16.1dB
tensiune - test:	48 V
curent nominal (amperi):	-
figura de zgomot:	-
curent - test:	291 mA
putere - ieșire:	180W
tensiune - nominală:	125 V
pachet / cutie:	NI-400S-2S
pachetul dispozitivului furnizorului:	NI-400S-2S

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.