DF11MR12W1M1B11BOMA1

Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

Partea producatorului	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Producător	Rochester Electronics
Descriere	IGBT MODULE
Categorie	produse semiconductoare discrete
Familie	tranzistoare - fete, mosfet - matrice
Ciclu de viață:	New from this manufacturer.
Livrare:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plată	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fișa cu date	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Disponibilitate

În stoc	83
Preț unitar	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Specificații

Tip	Descriere
serie:	*
pachet:	Bulk
starea piesei:	Active
tip fet:	2 N-Channel (Dual)
caracteristica fet:	Silicon Carbide (SiC)
scurgere la tensiunea sursă (vdss):	1200V (1.2kV)
curent - scurgere continuă (id) @ 25°c:	50A
rds pe (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 20mA
gate charge (qg) (max) @ vgs:	125nC @ 5V
capacitatea de intrare (ciss) (max) @ vds:	3950pF @ 800V
putere - max:	20mW
Temperatura de Operare:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tip de montare:	Chassis Mount
pachet / cutie:	Module
pachetul dispozitivului furnizorului:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.