SCTWA50N120

Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

Partea producatorului	SCTWA50N120
Producător	STMicroelectronics
Descriere	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Categorie	produse semiconductoare discrete
Familie	tranzistoare - fete, mosfet - singure
Ciclu de viață:	New from this manufacturer.
Livrare:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plată	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fișa cu date	SCTWA50N120 PDF

Disponibilitate

În stoc	1.240
Preț unitar	$ 29.63000

SCTWA50N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTWA50N120 Specificații

Tip	Descriere
serie:	-
pachet:	Tube
starea piesei:	Active
tip fet:	N-Channel
tehnologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
scurgere la tensiunea sursă (vdss):	1200 V
curent - scurgere continuă (id) @ 25°c:	65A (Tc)
tensiune de transmisie (max rds activat, min rds activat):	20V
rds pe (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
gate charge (qg) (max) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (max):	+25V, -10V
capacitatea de intrare (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 400 V
caracteristica fet:	-
putere disipată (max):	318W (Tc)
Temperatura de Operare:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tip de montare:	Through Hole
pachetul dispozitivului furnizorului:	HiP247™
pachet / cutie:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.