SIE808DF-T1-E3

Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

Partea producatorului	SIE808DF-T1-E3
Producător	Vishay / Siliconix
Descriere	MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Categorie	produse semiconductoare discrete
Familie	tranzistoare - fete, mosfet - singure
Ciclu de viață:	New from this manufacturer.
Livrare:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plată	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fișa cu date	SIE808DF-T1-E3 PDF

Disponibilitate

În stoc	1.036
Preț unitar	$ 4.17000

SIE808DF-T1-E3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIE808DF-T1-E3 Specificații

Tip	Descriere
serie:	TrenchFET®
pachet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
starea piesei:	Active
tip fet:	N-Channel
tehnologie:	MOSFET (Metal Oxide)
scurgere la tensiunea sursă (vdss):	20 V
curent - scurgere continuă (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensiune de transmisie (max rds activat, min rds activat):	4.5V, 10V
rds pe (max) @ id, vgs:	1.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
gate charge (qg) (max) @ vgs:	155 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacitatea de intrare (ciss) (max) @ vds:	8800 pF @ 10 V
caracteristica fet:	-
putere disipată (max):	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de Operare:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tip de montare:	Surface Mount
pachetul dispozitivului furnizorului:	10-PolarPAK® (L)
pachet / cutie:	10-PolarPAK® (L)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.