BTS282ZE3180AATMA2

Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

Partea producatorului	BTS282ZE3180AATMA2
Producător	IR (Infineon Technologies)
Descriere	MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Categorie	produse semiconductoare discrete
Familie	tranzistoare - fete, mosfet - singure
Ciclu de viață:	New from this manufacturer.
Livrare:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plată	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fișa cu date	BTS282ZE3180AATMA2 PDF

Disponibilitate

În stoc	1.635
Preț unitar	$ 5.75000

BTS282ZE3180AATMA2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BTS282ZE3180AATMA2 Specificații

Tip	Descriere
serie:	TEMPFET®
pachet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
starea piesei:	Active
tip fet:	N-Channel
tehnologie:	MOSFET (Metal Oxide)
scurgere la tensiunea sursă (vdss):	49 V
curent - scurgere continuă (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensiune de transmisie (max rds activat, min rds activat):	4.5V, 10V
rds pe (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 240µA
gate charge (qg) (max) @ vgs:	232 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacitatea de intrare (ciss) (max) @ vds:	4800 pF @ 25 V
caracteristica fet:	Temperature Sensing Diode
putere disipată (max):	300W (Tc)
Temperatura de Operare:	-40°C ~ 175°C (TJ)
tip de montare:	Surface Mount
pachetul dispozitivului furnizorului:	PG-TO263-7-1
pachet / cutie:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.