TP65H300G4LSG

Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

Partea producatorului	TP65H300G4LSG
Producător	Transphorm
Descriere	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Categorie	produse semiconductoare discrete
Familie	tranzistoare - fete, mosfet - singure
Ciclu de viață:	New from this manufacturer.
Livrare:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Plată	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fișa cu date	TP65H300G4LSG PDF

Disponibilitate

În stoc	240
Preț unitar	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H300G4LSG Specificații

Tip	Descriere
serie:	-
pachet:	Tray
starea piesei:	Active
tip fet:	N-Channel
tehnologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
scurgere la tensiunea sursă (vdss):	650 V
curent - scurgere continuă (id) @ 25°c:	6.5A (Tc)
tensiune de transmisie (max rds activat, min rds activat):	8V
rds pe (max) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
gate charge (qg) (max) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (max):	±18V
capacitatea de intrare (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
caracteristica fet:	-
putere disipată (max):	21W (Tc)
Temperatura de Operare:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tip de montare:	Surface Mount
pachetul dispozitivului furnizorului:	3-PQFN (8x8)
pachet / cutie:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.